標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了由測(cè)量硅片間隙氧含量的減少量來(lái)檢驗(yàn)硅片氧沉淀特性的方法原理、取樣規(guī)則、熱處理程序、試驗(yàn)步驟、數(shù)據(jù)計(jì)算等內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)用于定性比較兩批或多批集成電路用硅片間隙氧沉淀特性。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 19444-2004

標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅片氧沉淀特性的測(cè)定-間隙氧含量減少法

英文名稱：Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction

標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2004-02-05

實(shí)施日期：2004-07-01

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H26金屬無(wú)損檢驗(yàn)方法

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：電氣工程>>絕緣流體>>29.040.01絕緣流體綜合

起草單位：洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司、中國(guó)有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所

歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.

檢測(cè)流程步驟

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