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集成電路第三方檢驗機構(gòu)

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集成電路檢測測試哪些指標(biāo)?檢測費用多少?檢測周期多久呢?我們嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)進行檢測和評估,確保檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。同時,我們還根據(jù)客戶的需求,提供個性化的檢測方案和報告,幫助廠家更好地了解產(chǎn)品質(zhì)量和性能。

檢測項目(參考):

低溫存儲試驗、低溫工作試驗、低溫運行試驗、沖擊試驗、功率因數(shù)測量誤差試驗、功率測量誤差試驗、功耗試驗、可焊性試驗、周期中斷功能試驗、響應(yīng)時間試驗、增益試驗、外觀和尺寸檢查、失效保護功能試驗、工作電流試驗、開路/短路、引出端強度試驗、抗靜電測試試驗、抗靜電能力試驗、振動試驗、接收器差分輸入閾值電壓試驗、接收器輸入阻抗試驗、接收器輸出電壓試驗、接收器輸出短路電流試驗、接收器輸出高阻態(tài)漏電流試驗、接收靈敏度試驗、數(shù)字輸入電壓試驗、時鐘功能試驗、機械性能試驗、極性判別時間試驗、極限溫度使用試驗、溫度沖擊試驗、溫度影響量試驗、焊錫接合強度試驗、電壓信號采樣通道測量誤差試驗、電壓基準(zhǔn)試驗、電流信號采樣通道測量誤差試驗、電源電流測試、電能計量誤差試驗、線性放大試驗、耐濕、耐焊接熱試驗、自動極性判斷和校正試驗、諧波影響量試驗、過壓保護功能試驗、過流保護功能試驗、通信速率及誤碼率試驗、鬧鐘中斷試驗、靜態(tài)工作電流、頻率影響量試驗、頻率測量誤差試驗、頻率溫度特性試驗、頻率電壓特性試驗、驅(qū)動器共模輸出電壓試驗、驅(qū)動器差分輸出電壓試驗、驅(qū)動器輸出短路電流試驗、高溫存儲試驗、高溫壽命試驗、高溫工作試驗、高溫運行試驗、高溫高濕存儲試驗、高溫高濕試驗、X射線檢查、剪切強度、外部目檢、密封、恒定加速度、溫度循環(huán)、穩(wěn)定性烘焙、穩(wěn)態(tài)壽命、粒子碰撞噪聲檢測、粒子碰撞噪聲檢測試驗、老煉試驗、芯片剪切強度、芯片粘接的超聲檢測、鍵合強度、鍵合強度(破壞性鍵合拉力試驗)、靜電放電敏感度的分級、靜電放電敏感度測試/人體模型、靜電放電敏感度測試/場感應(yīng)器件放電模型、靜電放電敏感度測試/集成電路閂鎖測試、掃描電子顯微鏡(SEM)檢查、傳導(dǎo)發(fā)射測量-1Ω/150Ω直接耦合法、傳導(dǎo)抗擾度測量-大電流注入(BCI)法、傳導(dǎo)抗擾度測量-直接注入法、汽車電子瞬態(tài)傳導(dǎo)抗擾度(脈沖1、2a、3a、3b)、電快速瞬變脈沖群抗擾度、輻射發(fā)射測量-TEM小室和寬帶TEM小室法、輻射抗擾度測量-TEM小室和寬帶TEM小室法、低溫工作壽命測試、常溫循環(huán)擦寫后的數(shù)據(jù)保持能力測試、常溫循環(huán)擦寫后的數(shù)據(jù)保持能力測試和讀操作干擾測試、常溫循環(huán)擦寫耐力測試、未經(jīng)循環(huán)擦寫的超高溫數(shù)據(jù)保持能力測試、未經(jīng)循環(huán)擦寫的高溫數(shù)據(jù)保持能力測試、高溫工作壽命測試、高溫循環(huán)擦寫后的超高溫數(shù)據(jù)保持能力測試、高溫循環(huán)擦寫后的高溫工作壽命測試、高溫循環(huán)擦寫后的高溫數(shù)據(jù)保持能力測試、高溫循環(huán)擦寫耐力測試、高溫早期失效測試、(運算放大器的)短路輸出電流、MOS電路傳輸時間、MOS電路延遲時間和轉(zhuǎn)換時間、串?dāng)_衰減、串?dāng)_衰減(多重放大器)、交變濕熱、低溫、共模輸入電壓范圍、沖擊、分辨時間、功能驗證、動態(tài)條件下的總電源電流、動態(tài)特性、單位增益頻率、雙極型電路傳輸時間、雙極型電路延遲時間和轉(zhuǎn)換時間、可焊性、響應(yīng)時間、基準(zhǔn)電壓、備用電流(靜態(tài)電流)、外部目檢和標(biāo)志檢查、存儲器寫恢復(fù)時間、存儲器地址存取時間、存儲器片選存取時間、存儲器讀存取時間、導(dǎo)通時間和截止時間、小信號輸入阻抗、尺寸、差分放大器的輸出電壓范圍、建立時間和保持時間、開環(huán)電壓放大倍數(shù)、引出端之間的絕緣電阻、引出端強度、彎曲試驗、強加速濕熱、截止態(tài)和導(dǎo)通態(tài)電流(對模擬信號開關(guān)電路)、截止態(tài)開關(guān)隔離、截止頻率、扭轉(zhuǎn)試驗、拉力試驗、振動、掃描頻率、控制饋通電壓、推力試驗、數(shù)字集成電路功能檢驗、時序電路的轉(zhuǎn)換頻率、易燃性、較小寫脈沖持續(xù)時間(脈寬)的測試、較高和較低工作溫度下電特性、標(biāo)志耐久性、標(biāo)志耐溶劑性、正向鎖定的輸入/輸出電壓或電流、溫度變化、溫度快速變化、滿輸出電壓幅度的上限頻率、獨立元件的測量(外貼元件)、獨立元件的測量(淀積膜元件的測量)、環(huán)境溫度下電特性、電壓測試:等效輸入和輸出電容、等效輸入和輸出電阻、電流測試:大信號工作時的輸入和輸出電容、電測試

檢測標(biāo)準(zhǔn)一覽:

1、EN 61967-2:2005 集成電路-電磁發(fā)射測量、150kHz - 1GHz-第2部分:輻射發(fā)射測量- TEM小室和寬帶TEM小室法 8

2、GJB4027A-2006 **電子元器件破壞性物理分析方法 項目1101、項目1102 2.3

3、GB/T12750-2006 半導(dǎo)體器件 集成電路第11部分:半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路) 12.1

4、Q/GDW 11179.14-2015 電能表用元器件技術(shù)規(guī)范 第11部分:計量芯片 7.4.1

5、IEC 62132-4:2006 集成電路-電磁抗擾度測量、150 kHz -1 GHz - 第四部分:直接射頻功率輸入法 8

6、SJ 21473.3-2018 **集成電路電磁抗擾度測量方法 第3部分:傳導(dǎo)抗擾度測量大電流注入(BCI)法 6

7、GJB548B-2005 微電子器件試驗方法和程序 2016

8、ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018 靜電放電敏感度測試、帶電器件模型(CDM)-器件級

9、GB/T 17574-1998 半導(dǎo)體器件 集成電路 第2部分:數(shù)字集成電路 第IV篇 第3節(jié) 4.1.2

10、JESD22-A108F:2017 溫度偏置壽命實驗 4.2.3.2

11、IEC 62215-3:2013 集成電路-脈沖抗擾度測量-第三部分:異步瞬態(tài)注入法 10 & Annex D

12、GB/T 17940-2000、IEC 60748-3:1986 半導(dǎo)體器件 集成電路 第3部分:模擬集成電路 第IV篇 第2節(jié) 17

13、JESD22-A117E:2018 電子可清除可編程ROM編程/清除耐久力和數(shù)據(jù)保持能力測試 4.2

14、AEC-Q100-005-REV-D1:2012 可寫可擦除的永久性記憶的耐久性、資料保持及工作壽命的測試 3.3

15、JESD47K :2018 IC集成電路壓力測試考核 5.5 表 5-1

16、IEC 62132-2:2010 集成電路-電磁抗擾度測量、150kHz - 1GHz-第2部分:輻射抗擾度測量- TEM小室和寬帶TEM小室法 8

17、Q/GDW 11179.11-2015 電能表用元器件技術(shù)規(guī)范 第11部分:串口通信協(xié)議RS-485芯片 7.5.1

18、JEDEC JESD78E-2016 集成電路閂鎖測試

19、IEC 62132-3:2007 集成電路-電磁抗擾度測量、150 kHz -1 GHz - 第三部分:大電流注入(BCI)法 6

20、AEC-Q100-008-REV-A:2003 早期壽命失效率 3.2

檢測報告用途

商超入駐、電商上架、內(nèi)部品控、招投標(biāo)、高??蒲械取?/p>

檢測報告有效期

一般檢測報告上會標(biāo)注實驗室收到樣品的時間、出具報告的時間。檢測報告上不會標(biāo)注有效期。常規(guī)來說只要測試沒更新,測試不變檢測報告一直有效。如果是用于過電商平臺,一般他們只認(rèn)可一年內(nèi)的。所以還要看平臺或買家的要求。

檢測流程步驟

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溫馨提示:以上內(nèi)容為部分列舉,僅供參考使用,更多檢測需求請咨詢客服。

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