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半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷器檢測(cè)

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半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷器檢測(cè)

檢測(cè)項(xiàng)目及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)一覽表

序號(hào) 檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn) 檢測(cè)對(duì)象 檢測(cè)項(xiàng)目
1 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4:2012 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷器 溫升和耗散功率
2 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4:2012 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷器 約定不熔斷電流
3 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4:2012 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷器 約定熔斷電流
4 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4:2012 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷器 約定電纜過(guò)載保護(hù)
5 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4:2012 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷器 過(guò)載能力驗(yàn)證
6 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4:2012 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷器 額定電流驗(yàn)證
7 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T13539.4-2016IEC 60269-4:2012 8.7 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷器 I2t特性和過(guò)電流選擇性驗(yàn)證
8 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 IEC60269-4:2009+A1:2012+A2:2016, EN60269-4:2009+A1:2012+A2:2016 8.7 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷器 I2t特性和過(guò)電流選擇性驗(yàn)證
9 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T13539.4-2016IEC 60269-4:2012 8.5 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷器 分?jǐn)嗄芰︱?yàn)證
10 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 IEC60269-4:2009+A1:2012+A2:2016, EN60269-4:2009+A1:2012+A2:2016 8.5 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷器 分?jǐn)嗄芰︱?yàn)證

檢測(cè)時(shí)間周期

一般3-10天出報(bào)告,有的項(xiàng)目1天出報(bào)告,具體根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷器檢測(cè)項(xiàng)目而定。

檢測(cè)報(bào)告有效期

一般半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷器檢測(cè)報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測(cè)報(bào)告上不會(huì)標(biāo)注有效期。

檢測(cè)流程步驟

1、電話溝通、確認(rèn)需求;

2、推薦方案、確認(rèn)報(bào)價(jià);

3、郵寄樣品、安排檢測(cè);

4、進(jìn)度跟蹤、結(jié)果反饋;

5、出具報(bào)告、售后服務(wù);

6、如需加急、優(yōu)先處理;

檢測(cè)流程步驟

溫馨提示:以上關(guān)于《半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷器檢測(cè)》內(nèi)容僅為部分列舉供參考使用,百檢網(wǎng)匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質(zhì)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)遍布全國(guó),更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢(xún)客服。

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