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半導體靜電檢測報告如何辦理？檢測項目及標準有哪些？百檢第三方檢測機構，嚴格按照半導體靜電檢測相關標準進行測試和評估。做檢測，找百檢。我們只做真實檢測。
涉及半導體靜電的標準有36條。
國際標準分類中，半導體靜電涉及到半導體分立器件、航空航天制造用材料。
在中國標準分類中，半導體靜電涉及到輸變電設備、半導體分立器件綜合、航空與航天用金屬鑄鍛材料。
國際電工委員會，關于半導體靜電的標準
IEC 60749-28:2022半導體器件.機械和氣候試驗方法.第28部分:靜電放電（ESD）靈敏度試驗.帶電器件模型（CDM）.器件級
IEC 60749-28-2022半導體器件.機械和氣候試驗方法.第28部分:靜電放電（ESD）靈敏度試驗.帶電器件模型（CDM）.器件級
IEC 60749-28:2022 RLV半導體器件.機械和氣候試驗方法.第28部分:靜電放電（ESD）靈敏度試驗.帶電器件模型（CDM）.器件級
IEC 60749-28-2022 RLV半導體器件.機械和氣候試驗方法.第28部分:靜電放電（ESD）靈敏度試驗.帶電器件模型（CDM）.器件級
IEC 60749-26:2018半導體器件 - 機械和氣候試驗方法 - 第26部分:靜電放電（ESD）靈敏度測試 - 人體模型（HBM）
IEC 60749-26-2018半導體器件 - 機械和氣候試驗方法 - 第26部分:靜電放電（ESD）靈敏度測試 - 人體模型（HBM）
IEC 60749-28-2017半導體器件 - 機械和氣候試驗方法 - 第28部分:靜電放電（ESD）靈敏度試驗 - 帶電器件模型（CDM） - 器件電平
IEC 60749-28:2017半導體器件. 機械和氣候試驗方法. 第28部分: 靜電放電(ESD)靈敏度試驗. 帶電器件模型(CDM). 器件級
IEC 60749-26-2013半導體器件 - 機械和氣候試驗方法 - 第26部分:靜電放電（ESD）靈敏度測試 - 人體模型（HBM）
IEC 60749-26:2013半導體器件.機械和氣候試驗方法.第26部分:靜電放電敏感性(ESD)測試.人體模型(HBM)
IEC 60749-27-2006+AMD1-2012 CSV半導體器件.機械和氣候試驗方法.第1部分:27:靜電放電（ESD）靈敏度測試-機器型號（毫米）
IEC 60749-27:2006/AMD1:2012修改件1.半導體器件.機械和氣候試驗方法.第27部分:靜電放電（ESD）靈敏度試驗.機器模型（MM）
IEC 60749-27-2006/AMD1-2012修改件1.半導體器件.機械和氣候試驗方法.第27部分:靜電放電（ESD）靈敏度試驗.機器模型（MM）
IEC 60749-27:2006+AMD1:2012 CSV半導體器件.機械和氣候試驗方法.第1部分:27:靜電放電（ESD）靈敏度測試-機器型號（毫米）
IEC 60749-27 AMD 1:2012半導體器件.機械和氣候試驗方法.第27部分:靜電放電(ESD)敏感度檢驗.機器模型(MM).修改件1
IEC 60749-27 Edition 2.1:2012半導體器件.機械和氣候試驗方法.第27部分:靜電放電(ESD)敏感度檢測.機械模型(MM)
IEC 60749-27-2006半導體器件 - 機械和氣候測試方法 - 第27部分:靜電放電（esd）靈敏度測試 - 機器型號（mm）
IEC 60749-27:2006半導體器件.機械和氣候試驗方法.第27部分:靜電放電(ESD)靈敏度測試.機器模型(MM)
IEC 60749-26:2006半導體器件.機械和氣候試驗方法.第26部分:靜電放電敏感性 (ESD)試驗.人體模型(HBM)
IEC 60749-27:2003半導體器件.機械和氣候試驗方法.第27部分:靜電放電靈敏度測試.機器模型
IEC 60749-26:2003半導體器件.機械和氣候試驗方法.第26部分:靜電放電敏感性試驗.人體模型
，關于半導體靜電的標準
PNS IEC 60749-28:2021半導體器件.機械和氣候試驗方法.第28部分：靜電放電（ESD）靈敏度試驗.帶電器件模型（CDM）.器件級
英國標準學會，關于半導體靜電的標準
BS EN 60749-28-2017半導體器件. 機械和氣候試驗方法. 靜電放電(ESD)靈敏度試驗. 帶電器件模型(CDM). 器件級
BS EN 60749-26-2014半導體器件.機械和氣候試驗方法.靜電放電(ESD)靈敏度測試.人體模型(HBM)
BS EN 60749-27-2006半導體器件.機械和氣候試驗方法.靜電放電(ESD)靈敏度測試.機器模型(MM)
BS EN 60749-26-2006半導體器件.機械和氣候試驗方法.靜電放電(ESD)靈敏度測試.人體模型(HBM)
BS EN 60749-27-2006+A1-2012半導體器件.機械和氣候試驗方法.靜電放電(ESD)靈敏度測試.機器模型(MM)
德國標準化學會，關于半導體靜電的標準
DIN EN 60749-26-2014半導體器件.機械和氣候試驗方法.第26部分:靜電放電(ESD)靈敏度試驗.人體模型(HBM)(IEC 60749-26-2013).德文版本EN 60749-26-2014
DIN EN 60749-27-2013半導體器件.機械和氣候試驗方法.第27部分:靜電放電(ESD)敏感度檢驗.機器模型(MM).(IEC 60749-27-2006 + A1-2012).德文版本EN 60749-27-2006 + A1-2012
DIN EN 60749-26-2007半導體器件.機械和氣候試驗方法.第26部分:靜電放電(ESD)靈敏度試驗.人體模型(HBM)
法國標準化協(xié)會，關于半導體靜電的標準
NF C96-022-27/A1-2013半導體器件.機械和氣候試驗方法.第27部分:靜電放電(ESD)敏感度檢驗.機器模型(MM)
NF C96-022-27-2006半導體裝置.機械和氣候試驗方法.第27部分:靜電放電(ESD)靈敏度測試.機器模型(MM)
NF C96-022-26-2006半導體裝置.機械和氣候試驗方法.第26部分:靜電放電(ESD)靈敏度測試.人體模型(HBM)
歐洲電工標準化委員會，關于半導體靜電的標準
EN 60749-27-2006半導體器件.機械和氣候試驗方法.第27部分:靜電放電(ESD)靈敏度測試.機器模型(MM)IEC 60749-27-2006
美國國防后勤局，關于半導體靜電的標準
DLA SMD-5962-95624 REV C-2006混合數(shù)字的512K X 32-BIT,靜電噪聲隨機存取存儲器互補金屬氧化物半導體微電路
DLA SMD-5962-95595 REV N-2004靜電噪聲的隨機數(shù)字存儲存儲器混合互補金屬氧化物半導體微電路
檢測報告有效期
一般半導體靜電檢測報告上會標注實驗室收到樣品的時間、出具報告的時間，不會標注有效期。
檢測費用價格
需要根據(jù)檢測項目、樣品數(shù)量及檢測標準而定，請聯(lián)系我們確定后報價。
檢測流程步驟
溫馨提示：以上內(nèi)容為部分列舉，僅供參考使用。更多檢測問題請咨詢客服。
