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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 4061-2009硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了以三氯氫硅和四氯化硅為原料在還原爐內(nèi)用氫氣還原出的硅多晶棒的斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于斷面夾層的檢驗(yàn)適用于以三氯氫硅和四氯化硅為原料,以細(xì)硅芯為發(fā)熱體,在還原爐內(nèi)用氫氣還原沉積生長(zhǎng)出來(lái)的硅多晶棒。
英文名稱(chēng)： Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion
替代情況： 替代GB/T 4061-1983
中標(biāo)分類(lèi)： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類(lèi)： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
發(fā)布部門(mén)： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
*發(fā)日期： 1983-12-20
提出單位： 全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
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